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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

华南地区某LED概念片产量单位,因产量的时候中施用砷化镓、酸洗铟等III-V族类化合物,废水里面的含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等天价属,规划治理数量1200吨/日。 电镀废水化学成分及主要来源 MOCVD的设备洗掉生产废水 :含前三基镉、前三基铟等无机金属材料无机化合物 激光切磨研废液 :含纳米级级五金颗粒物 化学镍废水处理 :含铜、镍等金属制正离子 操作环节环节 创新发展进行"防氧化破络+高价属气体吸附+膜区分"女子组合工艺设计: 预进行处理第一单元 :加药亚硫酸氢钠转化生物碳合金材料络合物 管理的本质正确处理单园 : 运行DTCR高价属收集剂组成不溶解性螯合物 反渗透膜系统的(UF)虚报冒领大碳原子废弃物物 反进行渗透(RO)脱盐率>98% 淤泥进行存储模块式 :离心式烘干后授权委托垃圾加工中心的治理 然后功能 经其次方测试: 总砷含铁:0.05mg/L(行业标准0.5mg/L) 镉纯度:0.01mg/L(国家行业标准0.1mg/L) 水回收利用率:75% 使用资金:3.8元/吨水

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